Что такое степень интеграции в интегральной микросхеме?

Известно, что полупроводниковые интегральные микросхемы, по сравнению с аналогичными печатными схемами с навесными элементами, имеют лучшие технико-экономические показатели: размеры и массу, надежность, быстродействие, стоимость.
Известно также, что эти показатели улучшаются с повышением функциональной сложности ИМС, т. е. с увеличением числа элементов, полученных с помощью интегральной технологии, с возрастанием степени интеграции. 

Степень интеграции — это показатель степени сложности ИМС, характеризуемой числом элементов, полученных с помощью интегральной технологии на общем кристалле. Различают ИМС малой степени интеграции, средней степени интеграции, большие интегральные схемы (БИС) и сверхбольшие (СБИС). Повышение степени интеграции ИМС является, таким образом, важнейшей задачей микроэлектроники, в значительной мере определяющей основные тенденции схемотехнических и конструкторско-технологических разработок. 

Факторы, ограничивающие степень интеграции. Среди факторов, ограничивающих степень интеграции, важное место занимает технологический фактор. В полупроводниковой интегральной микросхеме нельзя заменить или даже исправить дефектный элемент. При наличии хотя бы одного дефектного элемента ИМС целиком бракуется. Плотность дефектов в свою очередь определяется качеством технологического процесса и прежде всего процесса фотолитографии.

В зависимости от степени интеграции применяются следующие названия интегральных схем:
1) малая интегральная схема (МИС) — до 100 элементов в кристалле;
2) средняя интегральная схема (СИС) — до 1000 элементов в кристалле;
3) большая интегральная схема (БИС) — до 10000 элементов в кристалле;
4) сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тысяч элементов в кристалле.